三星重磅计划曝光

　　《韩国经济日报》报道，三星电子目标2025年推出3D DRAM，以便在全球AI半导体市场相关领域中取得领先。目前这块领域是由SK海力士所主导。

　　3D DRAM芯片是借由将单位垂直堆叠的方式，而非水平置放的方式，使得单元面积容量达到三倍。相较下，高频宽记忆体（HBM）是垂直互联多个DRAM芯片。

　　根据首尔半导体产业消息人士周二的说法，三星是在上月于加州圣荷西举行的全球芯片制造商聚会Memcon 2024会议上公布其3D DRAM的开发蓝图。

　　报道指出，三星电子计划在2025年推出基于其垂直管道电晶体技术的初步版本3D DRAM，并计划在2030年推出堆叠式DRAM，它会把所有单元都堆叠起来。

　　产业消息人士表示，全球3D DRAM市场规模到了2030年可望成长至1,000亿美元。消息人士说，这项技术预期协助三星击败SK海力士，目前SK海力士在全球的HBM市场拥有90%市占。