中国狂砸千亿，韩国冷笑：有些东西钱买不到

中国正以前所未见的速度，全面冲刺先进记忆体领域，压力不只落在韩国，连美国同业都明显感受到了震动。但问题来了——钱砸下去，真的就能弯道超车吗？

韩媒给出的答案相当直接：未必。

追得快，不代表追得上

长期被视为“技术落后好几年”的中国记忆体产业，近年明显加速。在政府强力扶植下，中国最大 DRAM 厂商——长鑫存储（CXMT） 不但积极扩产，还启动上市规划，市场也开始重新评估：中国到底追到哪一步了？

但韩媒点出一个关键现实：记忆体不是资本密集就能解决的产业，而是高度依赖“经验值”的赛道。

市场主导权，仍握在三巨头手中

目前全球 DRAM 市场，三星电子、SK 海力士与美光 三大厂合计掌控超过 90% 市占率。这不只是规模优势，而是技术层级直接碾压——

真正的核心，在于先进 DRAM 与 AI 必备的高频宽记忆体（HBM）。

业内直言，这正是最难追、也最难复制的领域。

真正的护城河：不是设备，是“熟练度”

数十年大规模量产的累积、与一线客户反复磨合的经验、以及把极度复杂制程稳定转化为高良率产能的能力——

这些，才是韩国厂商真正的护城河。

韩国业者早在 2020 年就率先商用 DDR5，今年更已开始向 AI 大客户出货 HBM3E，同时着手准备下一代 HBM4，技术节奏持续拉开差距。

中国的进度：快，但仍有距离

作为中国记忆体攻坚主力，长鑫存储成立仅十余年，直到 2025 年才首次转亏为盈，目前全球 DRAM 市占约 4%。

在政府推动半导体自主化、加上中美科技竞争升温的背景下，长鑫的制程开发与客户拓展确实明显加快，已宣布量产 DDR5 与 LPDDR5X，并计划今年切入 HBM3 等级产品。

但问题在于——

HBM 是记忆体制造中技术门槛最高的一环。

HBM：真正的决战场

HBM 涉及 DRAM 垂直堆叠、散热设计与良率控制，被公认是“最难做的记忆体”。

而这，恰恰是韩国目前最有防御力的战场。

韩国学界与产业界普遍评估，中国在 DRAM 技术上仍落后约 2～3 年。别小看这段差距——在“每一代制程都会放大效率与成本差异”的记忆体产业中，这就是胜负关键。

以 10 纳米等级为例，国际大厂已推进到 1b、1c 世代，而中国多数仍停留在 1z 节点，在效能、功耗与成本上持续被拉开。

资料照片VCG, via Getty Images

NAND 能追，HBM 难追

在 NAND 快闪记忆体方面，差距相对较小。中国已能量产 232 层 产品，与韩厂 286～321 层 虽有差距，但并非无法想像的距离，甚至在部分混合键合技术上也出现亮点。

但 HBM 完全是另一回事。

韩国已进入 HBM3E 量产、HBM4 准备阶段；中国虽有企图，却在堆叠精度、热管理与稳定良率等细节上仍明显落后。

而这些能力，不是预算加倍就能立刻补齐的。

老将一句话点破真相

一位曾在 SK 海力士负责 DRAM 业务 26 年的前高层直言：

半导体不是“有钱就会”。

记忆体世代更迭极快，一旦错过关键节点，旧技术的经济价值很快就会被淘汰。就算在中低阶市场抢下市占，也难以真正撼动高端记忆体的长期格局。

结论很清楚：

中国追得很快，但在记忆体这条赛道上，真正决定胜负的，从来不只是钱。