中国半导体发展 笼罩着“见不得人”的阴影

中国传出开始自主生产浸没式深紫外线（DUV）曝光机的消息，影响全球科技股重挫，市场对中国取得突破的反应与业内专家的怀疑形成了鲜明对比。外媒分析报导指出，中国发展先进半导体业，笼罩在窃取西方公司技术和商业专利的阴影下。

中国国营公司上海爱晟纳电子科技集团（Aishengna）的系统预计将供应给中芯国际、华虹半导体和长鑫储存技术公司等中国芯片制造商，因为北京正寻求建立一个能够帮助其赢得全球人工智慧竞赛的自给自足的半导体产业。

浸没式深紫外曝光工具生产的半导体元件不如辉达等公司为前缘人工智慧模型驱动的尖端芯片先进。这些芯片需要更先进的制造工艺，即极紫外线（EUV）曝光机技术。经过近二十年的研发，ASML在该技术领域几乎保持垄断地位。专家普遍都认为中国的EUV技术目前还遥不可及。

中国推动自主曝光机制造的举措，与ASML长期以来面临的工业间谍指控形成鲜明对比。彭博曾报导，ASML在加州成功起诉一名窃取公司商业机密并逃往中国的工程师。该工程师在中国为自己的公司获得了政府补贴，并基于窃取的技术申请了专利。

根据CNN报导，2023年初，另一名身在中国的前ASML员工从ASML内部的Teamcenter资料库中窃取数据，该资料库储存著ASML曝光系统的技术细节。

近期媒体报导，台积电前副理陈志坚与港商共谍丁小琥，计画在中国设立半导体材料分析公司，挖角台湾人才，由陈志坚利用职务之便，窃取台积电21项国家核心关键技术与营业秘密，打算交予中国。